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giant magnetoresistance

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巨磁电阻

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Giant magnetoresistance (GMR) is a quantum mechanical magnetoresistance effect observed in thin-film structures composed of alternating ferromagnetic and non-magnetic conductive layers. The 2007 Nobel Prize in Physics was awarded to Albert Fert and Peter Grünberg for the discovery of GMR.

网络释义

巨磁阻效应

这种结构物质的值与材料薄膜层的方向有关，的一种，巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance）是一种和现象，第一节2011-2015年中国光学玻璃产业新趋势探析

巨磁电阻

1．1．1巨磁电阻（GMR）对于自旋电子学学科，巨磁电阻（Giant magnetoresistance）是其最重要的应用和最奇特的发现。材料的电阻率随外加磁场的变化发生巨大改变的现象称为巨磁电阻效应。

巨磁电阻效应

六角铁氧体 2011-6-15 20 D 巨磁电阻存储材料巨磁电阻效应（Giant magnetoresistance，GMR）指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。

巨磁阻

巨磁阻 (Giant magnetoresistance)：在铁磁金属里，电子磁矩朝向平行于磁化强度的导电率 p  通常大于反平行于磁化强度的导电率 a  。

常用短语

Giant Magnetoresistance Materials巨磁电阻材料
giant magnetoresistance effect巨磁阻效应
giant magnetoresistance semiconductor巨磁电阻半导体
giant magnetoresistance GMR巨磁电阻效应
thin film giant magnetoresistance materials薄膜巨磁电阻材料
giant magnetoresistance films巨磁电阻
giant magnetoresistance effects巨磁电阻效应
giant magnetoresistance material巨磁电阻材料
spin-valve giant magnetoresistance自旋阀巨磁电阻

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